半導(dǎo)體模塊 MKI50-12F7品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

MKI50-12F7 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
MKI50-12F7 IXYS MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 65A E2 0 6:$75.78500
MKI50-12F7 • PDF參數(shù)
類別: 半導(dǎo)體模塊
IGBT 類型: NPT
配置: 全橋反相器
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大): 1200V
Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開): 3.8V @ 15V,50A
電流 - 集電極 (Ic)(最大): 65A
電流 - 集電極截止(最大): 700µA
Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies): 3.3nF @ 25V
功率 - 最大: 350W
輸入: 標(biāo)準(zhǔn)
NTC 熱敏電阻:
安裝類型: 底座安裝
封裝/外殼: E2
供應(yīng)商設(shè)備封裝: E2