半導(dǎo)體模塊 IXGN82N120C3H1品牌、價格、PDF參數(shù)

IXGN82N120C3H1 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
IXGN82N120C3H1 IXYS IGBT 1200V 58A GENX3 SOT-227B 40 1:$38.00000
10:$35.15000
100:$30.02000
250:$27.55000
500:$26.22000
1,000:$24.70000
2,500:$23.94000
5,000:$23.37000
IXGN82N120C3H1 • PDF參數(shù)
類別: 半導(dǎo)體模塊
IGBT 類型: PT
配置: 單一
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）: 1200V
Vge, Ic時的最大Vce（開）: 3.9V @ 15V，82A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）: 130A
電流 - 集電極截止（最大）: 50µA
Vce 時的輸入電容 (Cies): 7.9nF @ 25V
功率 - 最大: 595W
輸入: 標(biāo)準(zhǔn)
NTC 熱敏電阻: 無
安裝類型: 底座安裝
封裝/外殼: SOT-227-4，miniBLOC
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SOT-227B