分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 BSO080P03NS3E G品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

BSO080P03NS3E G • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
BSO080P03NS3E G Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO 4,970 1:$1.14000
10:$1.02300
25:$0.90320
100:$0.81270
250:$0.70736
500:$0.63210
1,000:$0.49665
BSO080P03NS3E G Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO 4,970 1:$1.14000
10:$1.02300
25:$0.90320
100:$0.81270
250:$0.70736
500:$0.63210
1,000:$0.49665
BSO080P03NS3E G Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO 0 2,500:$0.42140
5,000:$0.40033
12,500:$0.38378
25,000:$0.37324
62,500:$0.36120
BSO080P03NS3E G • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 12A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 8 毫歐 @ 14.8A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 1.9V @ 150µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 81nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 6750pF @ 15V
功率 - 最大: 1.6W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-DSO-8
包裝: Digi-Reel®