元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
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SI4472DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 150V 8-SOIC | 382 | 1:$2.93000 25:$2.26280 100:$2.05310 250:$1.84360 500:$1.59220 |
SIE874DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V POLARPAK | 0 | 3,000:$1.09350 6,000:$1.05300 15,000:$1.01250 30,000:$0.99225 75,000:$0.97200 |
類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
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FET 型: | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點(diǎn): | 標(biāo)準(zhǔn) |
漏極至源極電壓(Vdss): | 150V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 7.7A |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 45 毫歐 @ 5A,10V |
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): | 4.5V @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 43nC @ 10V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 1735pF @ 50V |
功率 - 最大: | 5.9W |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | 8-SOICN |
包裝: | 剪切帶 (CT) |