分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPD530N15N3 G品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

IPD530N15N3 G • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
IPD530N15N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3 4,495 1:$1.79000
10:$1.60400
25:$1.41520
100:$1.27360
250:$1.10848
500:$0.99058
1,000:$0.77831
IPD530N15N3 G • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 150V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 21A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 53 毫歐 @ 18A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 4V @ 35µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 887pF @ 75V
功率 - 最大: 68W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TO252-3
包裝: Digi-Reel®