元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
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IPD530N15N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3 | 4,495 | 1:$1.79000 10:$1.60400 25:$1.41520 100:$1.27360 250:$1.10848 500:$0.99058 1,000:$0.77831 |
類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
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FET 型: | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點(diǎn): | 標(biāo)準(zhǔn) |
漏極至源極電壓(Vdss): | 150V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 21A |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 53 毫歐 @ 18A,10V |
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): | 4V @ 35µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 887pF @ 75V |
功率 - 最大: | 68W |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PG-TO252-3 |
包裝: | Digi-Reel® |