分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 BSC12DN20NS3 G品牌、價格、PDF參數(shù)

BSC12DN20NS3 G • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
BSC12DN20NS3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON 10,000 5,000:$0.67899
10,000:$0.65288
25,000:$0.63982
50,000:$0.62676
BSO201SP H Infineon Technologies MOSFET P-CH 20V 12A 8SOIC 4,220 1:$1.87000
10:$1.60400
25:$1.44400
100:$1.31030
250:$1.17656
500:$1.01612
1,000:$0.85568
BSC12DN20NS3 G • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 11.3A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 125 毫歐 @ 5.7A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 25µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 8.7nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 680pF @ 100V
功率 - 最大: 50W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-PowerTDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TDSON-8（5.15x6.15）
包裝: 帶卷 (TR)