| 元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|
| DMN3029LFG-7 | Diodes Inc | MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8 | 5,730 | 1:$0.49000 10:$0.41200 25:$0.36120 100:$0.30900 250:$0.26800 500:$0.22700 1,000:$0.17500 |
| DMN3029LFG-13 | Diodes Inc | MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8 | 0 | |
| DMN3029LFG-13 | Diodes Inc | MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8 | 0 | |
| DMN3029LFG-13 | Diodes Inc | MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8 | 3,000 | 3,000:$0.15500 |
| 類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn): | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 5.3A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 18.6 毫歐 @ 10A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: | 1.8V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 11.3nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 580pF @ 15V |
| 功率 - 最大: | 1W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 8-PowerVDFN |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PowerDI3333-8 |
| 包裝: | 剪切帶 (CT) |