分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPU64CN10N G品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

IPU64CN10N G • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠(chǎng)商 描述 數(shù)量 價(jià)格
IPU64CN10N G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 17A TO251-3 0
IPU64CN10N G • PDF參數(shù)
類(lèi)別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 17A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 64 毫歐 @ 17A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 4V @ 20µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 9nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 569pF @ 50V
功率 - 最大: 44W
安裝類(lèi)型: 通孔
封裝/外殼: TO-251-3 長(zhǎng)引線(xiàn),IPak,TO-251AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TO251-3
包裝: 管件