分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 STB34NM60N品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

STB34NM60N • 品牌、價(jià)格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
STB34NM60N STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK 0 1,000:$4.18500
2,000:$4.03000
5,000:$3.87500
10,000:$3.81300
25,000:$3.72000
STB34NM60N • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 29A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 105 毫歐 @ 14.5A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 84nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2722pF @ 100V
功率 - 最大: 210W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: D²PAK
包裝: 帶卷 (TR)