分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 BSS306N H6327品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

BSS306N H6327 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
BSS306N H6327 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23 5,925 1:$0.52000
10:$0.36900
25:$0.30520
100:$0.24600
250:$0.17712
500:$0.14268
1,000:$0.11070
BSS306N H6327 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23 3,000 3,000:$0.08856
6,000:$0.08364
15,000:$0.07626
30,000:$0.07134
75,000:$0.06396
150,000:$0.06150
BSS306N H6327 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 2.3A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 57 毫歐 @ 2.3A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 2V @ 11µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 275pF @ 15V
功率 - 最大: 500mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-SOT23-3
包裝: 剪切帶 (CT)