分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 BSZ16DN25NS3 G品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

BSZ16DN25NS3 G • 品牌、價(jià)格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
BSZ16DN25NS3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON 5,000 5,000:$0.90155
10,000:$0.86688
25,000:$0.84954
50,000:$0.83220
BSZ16DN25NS3 G • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 250V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 10.9A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 165 毫歐 @ 5.5A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 32µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 11.4nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 920pF @ 100V
功率 - 最大: 62.5W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-PowerTDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝: -
包裝: 帶卷 (TR)