分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPD600N25N3 G品牌、價格、PDF參數(shù)

IPD600N25N3 G • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
IPD600N25N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3 12,140 1:$2.74000
10:$2.34700
25:$2.11240
100:$1.91690
250:$1.72128
500:$1.48656
1,000:$1.25184
IPD600N25N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3 12,140 1:$2.74000
10:$2.34700
25:$2.11240
100:$1.91690
250:$1.72128
500:$1.48656
1,000:$1.25184
BSZ0901NSI Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON 7,996 1:$2.70000
10:$2.31700
25:$2.08480
100:$1.89190
250:$1.69884
500:$1.46718
1,000:$1.23552
2,500:$1.11969
IPD600N25N3 G • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 250V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 25A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 60 毫歐 @ 25A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 90µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2350pF @ 100V
功率 - 最大: 136W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TO252-3
包裝: Digi-Reel®