元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價格 |
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SQJ412EP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC | 2,750 | 1:$2.59000 25:$1.99800 100:$1.81300 250:$1.62800 500:$1.40600 1,000:$1.18400 |
類別: | 分離式半導體產(chǎn)品 |
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FET 型: | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點: | 邏輯電平門 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 40V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 32A |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 4.5 毫歐 @ 10.3A,10V |
Id 時的 Vgs(th)(最大): | 2.5V @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 120nC @ 10V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 5950pF @ 20V |
功率 - 最大: | 83W |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | PowerPAK? SO-8 |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PowerPAK? SO-8 |
包裝: | Digi-Reel® |