分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPB65R110CFD品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

IPB65R110CFD • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
IPB65R110CFD Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263 1,552 1:$8.18000
10:$7.41200
25:$6.79440
100:$6.17660
250:$5.55896
500:$5.09570
IPB65R110CFD Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263 1,000 1,000:$4.16921
2,000:$4.01479
5,000:$3.86038
10,000:$3.78317
25,000:$3.70596
IPB65R660CFD Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 6.0A TO263 1,585 1:$3.39000
10:$2.90200
25:$2.61160
100:$2.36960
250:$2.12784
500:$1.83768
IPB65R110CFD • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 650V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 31.2A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 110 毫歐 @ 12.7A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 4.5V @ 1.3mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 118nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 3240pF @ 100V
功率 - 最大: 277.8W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TO263
包裝: 剪切帶 (CT)