分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI5913DC-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SI5913DC-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SI5913DC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 1206-8 640 1:$0.74000
25:$0.51960
100:$0.44550
250:$0.38476
500:$0.33076
1,000:$0.25650
SI5913DC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 1206-8 640 1:$0.74000
25:$0.51960
100:$0.44550
250:$0.38476
500:$0.33076
1,000:$0.25650
SUD45P03-09-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 30V DPAK 3,837 1:$1.45000
25:$1.14320
100:$1.02870
250:$0.89536
500:$0.80010
1,000:$0.62865
SUD45P03-09-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 30V DPAK 2,000 2,000:$0.53340
6,000:$0.50673
10,000:$0.48578
50,000:$0.45720
SI5913DC-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 二極管（隔離式）
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 4A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 84 毫歐 @ 3.7A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 330pF @ 10V
功率 - 最大: 3.1W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SMD，扁平引線
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 1206-8 ChipFET?
包裝: Digi-Reel®