分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI7143DP-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SI7143DP-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SI7143DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 8-SOIC 5,066 1:$1.52000
25:$1.20000
100:$1.08000
250:$0.94000
500:$0.84000
1,000:$0.66000
SI7143DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 8-SOIC 3,000 3,000:$0.56000
6,000:$0.53200
15,000:$0.51000
30,000:$0.49600
75,000:$0.48000
SI7143DP-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類(lèi)別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 35A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 10 毫歐 @ 16.1A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2.8V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 71nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2230pF @ 15V
功率 - 最大: 35.7W
安裝類(lèi)型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? SO-8
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PowerPAK? SO-8
包裝: 剪切帶 (CT)