分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SIR804DP-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SIR804DP-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SIR804DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC 3,000 3,000:$1.23930
6,000:$1.19340
15,000:$1.14750
30,000:$1.12455
75,000:$1.10160
SIR804DP-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 60A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 7.2 毫歐 @ 20A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 76nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2450pF @ 50V
功率 - 最大: 104W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? SO-8
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PowerPAK? SO-8
包裝: 帶卷 (TR)