分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI4136DY-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SI4136DY-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SI4136DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 20V 8-SOIC 0 2,500:$0.65800
5,000:$0.62510
12,500:$0.59925
25,000:$0.58280
SI7615DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 20V 1212-8 2,750 1:$1.79000
25:$1.41000
100:$1.26900
250:$1.10452
500:$0.98700
1,000:$0.77550
SI7615DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 20V 1212-8 2,750 1:$1.79000
25:$1.41000
100:$1.26900
250:$1.10452
500:$0.98700
1,000:$0.77550
SI7615DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 20V 1212-8 0 3,000:$0.65800
6,000:$0.62510
15,000:$0.59925
30,000:$0.58280
SI4136DY-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類(lèi)別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 46A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 2 毫歐 @ 15A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 2.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 4560pF @ 10V
功率 - 最大: 7.8W
安裝類(lèi)型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-SOICN
包裝: 帶卷 (TR)