分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SIR844DP-T1-GE3品牌、價格、PDF參數(shù)

SIR844DP-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
SIR844DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 25V 8-SOIC 746 1:$1.81000
25:$1.42520
100:$1.28250
250:$1.11624
500:$0.99750
1,000:$0.78375
SIR844DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 25V 8-SOIC 0 3,000:$0.66500
6,000:$0.63175
15,000:$0.60563
30,000:$0.58900
75,000:$0.57000
SIR844DP-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點: 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 25V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 50A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 2.8 毫歐 @ 15A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 2.6V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 3215pF @ 10V
功率 - 最大: 50W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? SO-8
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PowerPAK? SO-8
包裝: 剪切帶 (CT)