分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SIHG22N60E-E3品牌、價格、PDF參數(shù)

SIHG22N60E-E3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
SIHG22N60E-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC 463 1:$4.48000
25:$3.60000
100:$3.28000
250:$2.96000
500:$2.65600
1,000:$2.24000
2,500:$2.12800
5,000:$2.04000
SIHB22N60E-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK 0 1:$4.14000
25:$3.33000
100:$3.03400
250:$2.73800
500:$2.45680
1,000:$2.07200
2,500:$1.96840
5,000:$1.88700
SIHG22N60E-E3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 21A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 180 毫歐 @ 11A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 86nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1920pF @ 100V
功率 - 最大: 227W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-247-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-247AC
包裝: 管件
電子產(chǎn)品資料
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