| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| EPC2014 | EPC | TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE | 3,000 | 1,000:$1.11700 2,000:$1.04000 5,000:$1.00100 10,000:$0.96300 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | GaNFET N 通道，氮化鎵 |
| FET 特點: | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 40V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 10A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 16 毫歐 @ 5A，5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 2.5V @ 2mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 2.48nC @ 5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 300pF @ 20V |
| 功率 - 最大: | - |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 5-LGA |
| 供應商設備封裝: | 5-LGA（1.7x1.1） |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |