分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 NP50P03YDG-E1-AY品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
NP50P03YDG-E1-AY Renesas Electronics America MOSFET P-CH -30V 50A 8HSON 2,500 1:$1.89000
10:$1.62000
25:$1.45800
100:$1.32300
250:$1.18800
500:$1.02600
1,000:$0.86400
NP50P03YDG-E1-AY Renesas Electronics America MOSFET P-CH -30V 50A 8HSON 2,500 2,500:$0.72900
5,000:$0.70200
12,500:$0.67500
25,000:$0.66150
62,500:$0.64800
NP33N06YDG-E1-AY Renesas Electronics America MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON 0 2,500:$0.68362
5,000:$0.64944
12,500:$0.62258
25,000:$0.60549
62,500:$0.58596
NP50P03YDG-E1-AY • PDF參數(shù)
類(lèi)別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 50A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 8.4 毫歐 @ 25A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 96nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 3500pF @ 25V
功率 - 最大: 1W
安裝類(lèi)型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SMD,扁平引線裸焊盤(pán)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-HSON
包裝: 剪切帶 (CT)
電子產(chǎn)品資料
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