| 元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|
| IXFH18N100Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247 | 30 | 1:$14.26000 10:$12.96000 100:$11.01600 250:$10.04400 500:$9.39600 1,000:$8.61840 2,500:$8.26200 5,000:$8.03520 10,000:$7.77600 |
| 類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn): | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 1000V（1kV） |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 18A |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 660 毫歐 @ 9A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: | 6.5V @ 4mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 90nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 4890pF @ 25V |
| 功率 - 最大: | 830W |
| 安裝類型: | 通孔 |
| 封裝/外殼: | TO-247-3 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | TO-247 |
| 包裝: | 管件 |