元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價格 |
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IRLHM630TR2PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 21A PQFN | 1,243 | 1:$2.13000 10:$1.38200 25:$1.25560 50:$1.12960 100:$1.05740 |
IRLHM630TR2PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 21A PQFN | 1,200 | 400:$0.90788 800:$0.85063 1,200:$0.81393 2,800:$0.78224 10,000:$0.71886 40,000:$0.69495 |
類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
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FET 型: | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點: | 邏輯電平門 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 21A |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 3.5 毫歐 @ 20A,4.5V |
Id 時的 Vgs(th)(最大): | 1.1V @ 50µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 62nC @ 4.5V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 3170pF @ 25V |
功率 - 最大: | 2.7W |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | 8-VQFN 裸露焊盤 |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PQFN(3x3) |
包裝: | 剪切帶 (CT) |