元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
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CSD25201W15 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA | 2,142 | 1:$1.00000 10:$0.88400 25:$0.79760 100:$0.69800 250:$0.61216 500:$0.54292 1,000:$0.42935 |
CSD25201W15 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA | 0 | 3,000:$0.38800 6,000:$0.36800 15,000:$0.35500 30,000:$0.34300 75,000:$0.33200 |
類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
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FET 型: | MOSFET P 通道,金屬氧化物 |
FET 特點(diǎn): | 邏輯電平門 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 20V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 4A |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 40 毫歐 @ 2A,4.5V |
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): | 1.1V @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 5.6nC @ 4.5V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 510pF @ 10V |
功率 - 最大: | 1.5W |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | 9-UFBGA,DSBGA |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | 9-DSBGA(1.8x1.8) |
包裝: | 剪切帶 (CT) |