| 元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|
| IXFA4N100Q-TRL | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263 | 1,600 | 1:$7.41000 10:$6.66900 100:$5.43400 250:$4.94000 |
| 類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn): | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 1000V（1kV） |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 4A |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 3 歐姆 @ 2A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: | 4.5V @ 1.5mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 39nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 1050pF @ 25V |
| 功率 - 最大: | 150W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | TO-263 |
| 包裝: | 剪切帶 (CT) |