分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI8497DB-T2-E1品牌、價格、PDF參數(shù)

SI8497DB-T2-E1 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
SI8497DB-T2-E1 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 30V MICROFOOT 0 3,000:$0.19840
6,000:$0.18560
15,000:$0.17280
30,000:$0.16320
75,000:$0.16000
150,000:$0.15360
SI8497DB-T2-E1 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 13A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 53 毫歐 @ 1.5A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 1.1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 49nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1320pF @ 15V
功率 - 最大: 13W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-UFBGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 6-microfoot
包裝: 帶卷 (TR)