分離式半導體產(chǎn)品 SUD23N06-31-T4-GE3品牌、價格、PDF參數(shù)

SUD23N06-31-T4-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
SUD23N06-31-T4-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 60V TO252 0 2,500:$0.56000
SQ4410EY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V 8SOIC 0 2,500:$0.56000
SUD23N06-31-T4-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 21.4A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 31 毫歐 @ 15A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 670pF @ 25V
功率 - 最大: 31.25W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-252,(D-Pak)
包裝: 帶卷 (TR)