元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
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SQJ840EP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC | 0 | 3,000:$0.65800 |
SQ3418EEV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP | 629 | 1:$0.79000 25:$0.55440 100:$0.47520 250:$0.41040 500:$0.35280 1,000:$0.27360 |
SI4466DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC | 0 | 2,500:$0.65380 |
類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
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FET 型: | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點(diǎn): | 邏輯電平門 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 30A |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 9.3 毫歐 @ 10.3A,10V |
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): | 2.2V @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 38nC @ 10V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 1900pF @ 15V |
功率 - 最大: | 46W |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | PowerPAK? SO-8 |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PowerPAK? SO-8 |
包裝: | 帶卷 (TR) |