| 元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|
| SIE878DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 25V POLARPAK | 0 | 3,000:$0.69525 6,000:$0.66950 15,000:$0.64375 30,000:$0.63088 75,000:$0.61800 |
| SQR50N03-06P-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 30V TO263 | 0 | 2,000:$0.67760 |
| IRL510SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | 0 | 1,000:$0.67350 |
| SI7454CDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 8-SOIC | 5,534 | 1:$1.82000 25:$1.44000 100:$1.29600 250:$1.12800 500:$1.00800 1,000:$0.79200 |
| 類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn): | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 25V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 45A |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 5.2 毫歐 @ 20A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: | 2.2V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 36nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 1400pF @ 12.5V |
| 功率 - 最大: | 25W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 10-PolarPAK?（L） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | 10-PolarPAK?（L） |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |