分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI5457DC-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)
SI5457DC-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
| 元器件型號(hào) |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價(jià)格 |
| SI5457DC-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 20V 6A CHIPFET |
0 |
3,000:$0.19375
|
| SIB455EDK-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH D-S 12V SC-75-6 |
240 |
1:$0.68000
25:$0.47760
100:$0.40920
250:$0.35340
500:$0.30380
1,000:$0.23560
|
| IRFZ14STRLPBF |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK |
0 |
800:$0.81428
|
SI5457DC-T1-GE3 • PDF參數(shù)
| 類別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
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| FET 型: |
MOSFET P 通道，金屬氧化物
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| FET 特點(diǎn): |
邏輯電平門
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| 漏極至源極電壓(Vdss): |
20V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
6A
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| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
36 毫歐 @ 4.9A，4.5V
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: |
1.4V @ 250µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
38nC @ 10V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
1000pF @ 10V
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| 功率 - 最大: |
5.7W
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| 安裝類型: |
表面貼裝
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| 封裝/外殼: |
8-SMD，扁平引線
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
1206-8 ChipFET?
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| 包裝: |
帶卷 (TR)
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