分離式半導體產(chǎn)品 SIRA02DP-T1-GE3品牌、價格、PDF參數(shù)

SIRA02DP-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
SIRA02DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 50A SO-8 0 1:$2.00000
25:$1.53920
100:$1.39650
250:$1.25400
500:$1.08300
1,000:$0.91200
SI1405BDH-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V SC-70-6 0 3,000:$0.20925
6,000:$0.19575
15,000:$0.18225
30,000:$0.17213
75,000:$0.16875
150,000:$0.16200
2N7002-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 0 1,000:$0.20400
SIRA02DP-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 50A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 2 毫歐 @ 15A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 2.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 117nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 6150pF @ 15V
功率 - 最大: 50W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? SO-8
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PowerPAK? SO-8
包裝: 剪切帶 (CT)