分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SQ4470EY-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)
SQ4470EY-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
| 元器件型號(hào) |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價(jià)格 |
| SQ4470EY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC |
0 |
2,500:$1.33650
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| SQJ469EP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 80V 32A PPAK 8SOIC |
0 |
3,000:$1.28250
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| SQJ461EP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH D-S 60V TO252 |
0 |
3,000:$1.28250
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| SQR40N10-25-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 100V TO263 |
0 |
2,000:$0.86535
|
| SI7138DP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 60V PPAK 8SOIC |
0 |
3,000:$1.21230
|
SQ4470EY-T1-GE3 • PDF參數(shù)
| 類別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
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| FET 特點(diǎn): |
標(biāo)準(zhǔn)
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| 漏極至源極電壓(Vdss): |
60V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
16A
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| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
12 毫歐 @ 6A，10V
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: |
3.5V @ 250µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
68nC @ 10V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
3165pF @ 25V
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| 功率 - 最大: |
7.1W
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| 安裝類型: |
表面貼裝
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| 封裝/外殼: |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
8-SOICN
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| 包裝: |
帶卷 (TR)
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