| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| SI3853DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-TSOP | 0 | 3,000:$0.33350 |
| SI3812DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP | 0 | 3,000:$0.33350 |
| SQ4840EY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 40V 8SOIC | 0 | 2,500:$1.12455 |
| SI1300BDL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 20V SC-70-3 | 0 | 1:$0.58000 25:$0.38000 100:$0.31200 250:$0.26000 500:$0.21600 1,000:$0.16000 |
| IRLR024TRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 14A DPAK | 0 | 3,000:$0.73170 |
| SIE878DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 25V POLARPAK | 0 | 1:$1.80000 25:$1.39040 100:$1.26180 250:$1.13300 500:$0.97850 1,000:$0.82400 |
| SQD50P06-15L-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 50A TO252 | 0 | 2,000:$1.28250 |
| SQD50P04-09L-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH D-S 40V TO252 | 0 | 2,000:$1.28250 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 二極管（隔離式） |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 1.6A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 200 毫歐 @ 1.8A，4.5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 500mV @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 4nC @ 4.5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | - |
| 功率 - 最大: | 830mW |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬） |
| 供應商設備封裝: | 6-TSOP |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |