元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
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SIR662DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 60A 8-SO PWRPAK | 0 | 1:$2.28000 25:$1.75520 100:$1.59250 250:$1.43000 500:$1.23500 1,000:$1.04000 |
SIR662DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 60A 8-SO PWRPAK | 0 | 3,000:$0.87750 6,000:$0.84500 15,000:$0.81250 30,000:$0.79625 75,000:$0.78000 |
SI4423DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC | 0 | 2,500:$0.90585 |
類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
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FET 型: | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點(diǎn): | 邏輯電平門 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 60V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 60A |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 2.7 毫歐 @ 20A,10V |
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): | 2.5V @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 96nC @ 10V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 4390pF @ 30V |
功率 - 最大: | 104W |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | PowerPAK? SO-8 |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PowerPAK? SO-8 |
包裝: | Digi-Reel® |