分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SIR662DP-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SIR662DP-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SIR662DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 60A 8-SO PWRPAK 0 1:$2.28000
25:$1.75520
100:$1.59250
250:$1.43000
500:$1.23500
1,000:$1.04000
SIR662DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 60A 8-SO PWRPAK 0 3,000:$0.87750
6,000:$0.84500
15,000:$0.81250
30,000:$0.79625
75,000:$0.78000
SI4423DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC 0 2,500:$0.90585
SIR662DP-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 60A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 2.7 毫歐 @ 20A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 96nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 4390pF @ 30V
功率 - 最大: 104W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? SO-8
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PowerPAK? SO-8
包裝: Digi-Reel®
電子產(chǎn)品資料
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