分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI7868ADP-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)
SI7868ADP-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
| 元器件型號 |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價(jià)格 |
| SI7868ADP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 8SOIC |
0 |
3,000:$1.54413
|
| SUM60N02-3M9P-E3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 20V D2PAK |
0 |
800:$1.52550
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| SUD25N15-52-T4-E3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 150V TO252 |
0 |
2,000:$1.52019
|
| SI4448DY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC |
0 |
2,500:$1.51620
|
| SIE816DF-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 60V POLARPAK |
0 |
3,000:$1.90190
|
| SIE808DF-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 20V POLARPAK |
0 |
3,000:$1.90190
|
| SIE806DF-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK |
0 |
3,000:$1.90190
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SI7868ADP-T1-GE3 • PDF參數(shù)
| 類別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
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| FET 特點(diǎn): |
標(biāo)準(zhǔn)
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| 漏極至源極電壓(Vdss): |
20V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
40A
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| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
2.25 毫歐 @ 20A，10V
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: |
1.6V @ 250µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
150nC @ 10V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
6110pF @ 10V
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| 功率 - 最大: |
83W
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| 安裝類型: |
表面貼裝
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| 封裝/外殼: |
PowerPAK? SO-8
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
PowerPAK? SO-8
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| 包裝: |
帶卷 (TR)
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