分離式半導體產(chǎn)品 SI4456DY-T1-GE3品牌、價格、PDF參數(shù)

SI4456DY-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
SI4456DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC 0 2,500:$0.96930
SI4410BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC 0 2,500:$0.26100
SIRA14DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V D-S SO-8 0 1:$0.77000
25:$0.59680
100:$0.52650
250:$0.45632
500:$0.38610
1,000:$0.30713
SIRA14DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V D-S SO-8 0 1:$0.77000
25:$0.59680
100:$0.52650
250:$0.45632
500:$0.38610
1,000:$0.30713
SIRA14DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V D-S SO-8 0 3,000:$0.25448
6,000:$0.23693
15,000:$0.22815
30,000:$0.21938
75,000:$0.21587
150,000:$0.21060
SI4456DY-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 33A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 3.8 毫歐 @ 20A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 2.8V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 122nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 5670pF @ 20V
功率 - 最大: 7.8W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝: 8-SOICN
包裝: 帶卷 (TR)