分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI4632DY-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SI4632DY-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SI4632DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 25V 8-SOIC 0 2,500:$1.16100
SIHU3N50D-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK 0 3,000:$0.36288
6,000:$0.34474
15,000:$0.33048
30,000:$0.32141
75,000:$0.31104
SI4632DY-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 25V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 40A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 2.7 毫歐 @ 20A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 2.6V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 161nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 11175pF @ 15V
功率 - 最大: 7.8W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-SOICN
包裝: 帶卷 (TR)