分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SQ4401DY-T1-GE3品牌、價格、PDF參數(shù)

SQ4401DY-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
SQ4401DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 15.8A 8SOIC 0 2,500:$1.24605
IRF730STRRPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK 0 800:$1.21118
SQ4401DY-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 15.8A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 14 毫歐 @ 10.5A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 115nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 4250pF @ 20V
功率 - 最大: 6W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-SOICN
包裝: 帶卷 (TR)