分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SQJ456EP-T1-GE3品牌、價格、PDF參數(shù)

SQJ456EP-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
SQJ456EP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 100V PPAK 8SOIC 0 3,000:$2.26100
SQJ456EP-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 32A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 26 毫歐 @ 9.3A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 3.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 63nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 3342pF @ 25V
功率 - 最大: 83W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? SO-8
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PowerPAK? SO-8
包裝: 帶卷 (TR)