分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SQM110N06-04L-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SQM110N06-04L-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SQM110N06-04L-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 60V TO263 0 800:$3.52650
SIHG14N50D-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC 50 1:$3.30000
25:$2.65520
100:$2.41900
250:$2.18300
500:$1.95880
1,000:$1.65200
2,500:$1.56940
5,000:$1.50450
SQM110N06-04L-GE3 • PDF參數(shù)
類(lèi)別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 120A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 3.5 毫歐 @ 30A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 276nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 9125pF @ 25V
功率 - 最大: 375W
安裝類(lèi)型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3，D²Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-263（D2Pak）
包裝: 帶卷 (TR)