分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IXTY02N120P品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

IXTY02N120P • 品牌、價(jià)格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
IXTY02N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 200MA DPAK 0 450:$1.06000
IXTY02N120P • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 1200V(1.2kV)
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 200mA
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 75 歐姆 @ 500mA,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 4V @ 100µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 4.7nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 104pF @ 25V
功率 - 最大: 33W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-252,(D-Pak)
包裝: 管件