分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 TK22E10N1,S1X品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

TK22E10N1,S1X • 品牌、價(jià)格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
TK22E10N1,S1X Toshiba MOSFET N CH 100V 52A TO220 0 1:$1.86000
10:$1.68000
25:$1.50000
100:$1.35000
250:$1.20000
500:$1.05000
1,000:$0.87000
2,500:$0.81000
5,000:$0.78000
TK22E10N1,S1X • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 52A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 13.8 毫歐 @ 11A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 300µA，10V
閘電荷(Qg) @ Vgs: 28nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1800pF @ 50V
功率 - 最大: 72W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-220
包裝: 管件