分離式半導體產品 IPI100N08N3 G品牌、價格、PDF參數(shù)
IPI100N08N3 G • 品牌、價格
| 元器件型號 |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價格 |
| IPI100N08N3 G |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 80V 70A TO262-3 |
0 |
500:$0.89792
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IPI100N08N3 G • PDF參數(shù)
| 類別: |
分離式半導體產品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
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| FET 特點: |
標準
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| 漏極至源極電壓(Vdss): |
80V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
70A
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| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
10 毫歐 @ 46A，10V
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| Id 時的 Vgs(th)（最大）: |
3.5V @ 46µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
35nC @ 10V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
2410pF @ 40V
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| 功率 - 最大: |
100W
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| 安裝類型: |
通孔
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| 封裝/外殼: |
TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
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| 供應商設備封裝: |
PG-TO262-3
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| 包裝: |
管件
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