分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPD031N06L3 G品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)
IPD031N06L3 G • 品牌、價(jià)格
| 元器件型號(hào) |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價(jià)格 |
| IPD031N06L3 G |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3 |
0 |
2,500:$1.00184
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IPD031N06L3 G • PDF參數(shù)
| 類(lèi)別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
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| FET 特點(diǎn): |
邏輯電平門(mén)
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| 漏極至源極電壓(Vdss): |
60V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
100A
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| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
3.1 毫歐 @ 100A，10V
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: |
2.2V @ 93µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
79nC @ 4.5V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
13000pF @ 30V
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| 功率 - 最大: |
167W
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| 安裝類(lèi)型: |
表面貼裝
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| 封裝/外殼: |
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
PG-TO252-3
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| 包裝: |
帶卷 (TR)
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