分離式半導體產(chǎn)品 IPB042N10N3 G E8187品牌、價格、PDF參數(shù)

IPB042N10N3 G E8187 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
IPB042N10N3 G E8187 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 0 1:$3.66000
10:$3.29200
25:$2.98680
100:$2.68200
250:$2.43820
500:$2.13342
IPB042N10N3 G E8187 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 0 1,000:$1.70674
IPB042N10N3 G E8187 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 100A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 4.2 毫歐 @ 50A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 3.5V @ 150µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 117nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 8410pF @ 50V
功率 - 最大: 214W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝: PG-TO263-3
包裝: 剪切帶 (CT)