分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 BSC084P03NS3 G品牌、價格、PDF參數(shù)

BSC084P03NS3 G • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
BSC084P03NS3 G Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8 0 5,000:$0.65782
10,000:$0.63062
25,000:$0.61330
50,000:$0.59352
IPD096N08N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3 0 2,500:$0.65716
IPB34CN10N G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 27A TO263-3 0 1,000:$0.64920
SPD07N20 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 7A TO252 0 2,500:$0.50946
BSC084P03NS3 G • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 14.9A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 8.4 毫歐 @ 50A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 1.9V @ 105µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 58nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 4785pF @ 15V
功率 - 最大: 69W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-PowerTDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TDSON-8
包裝: 帶卷 (TR)