分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPD100N04S4-02品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

IPD100N04S4-02 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
IPD100N04S4-02 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3-313 0 2,500:$0.81972
IPW65R310CFD Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 11.4A TO247 0 1:$4.65000
10:$4.15100
100:$3.40400
250:$3.07192
500:$2.75644
1,000:$2.32470
2,500:$2.20846
5,000:$2.11714
10,000:$2.05902
IPD100N04S4-02 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 100A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 2 毫歐 @ 100A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 95µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 118nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 9430pF @ 25V
功率 - 最大: 150W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TO252-3-313
包裝: 帶卷 (TR)