分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPB049N06L3 G品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

IPB049N06L3 G • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
IPB049N06L3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 0 1,000:$0.84608
2,000:$0.78773
5,000:$0.75855
10,000:$0.72938
25,000:$0.71479
50,000:$0.70020
IPB054N06N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 2,000 1:$1.99000
10:$1.70900
25:$1.53840
100:$1.39600
250:$1.25356
500:$1.08262
IPB65R190CFD Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263 0 1:$5.58000
10:$5.02000
25:$4.55560
100:$4.09070
250:$3.71880
500:$3.25396
IPB049N06L3 G • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 80A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 4.7 毫歐 @ 80A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 2.2V @ 58µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 50nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 8400pF @ 30V
功率 - 最大: 115W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TO263-2
包裝: 帶卷 (TR)