分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI3456CDV-T1-GE3品牌、價格、PDF參數(shù)

SI3456CDV-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
SI3456CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 7.7A 6TSOP 0
SI3879DV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH/SCHOTTKY 20V 6-TSOP 0
SI4322DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC 0
SI4362BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC 0
SI4453DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 12V 8-SOIC 0
SI4840DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC 0
SI5449DC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 3.1A 1206-8 0
SI5463EDC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 3.8A 1206-8 0
SI5475DC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8 0
SI5480DU-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET 0
SI5482DU-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET 0
SI5858DU-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET 0
SI7358ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC 0
SI7368DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 8SOIC 0
SI7407DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 12V PPAK 1212-8 0
SI7445DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 20V PPAK 1212-8 0
SI3456CDV-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 7.7A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 34 毫歐 @ 6.1A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 460pF @ 15V
功率 - 最大: 3.3W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-TSOP(0.065",1.65mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 6-TSOP
包裝: 帶卷 (TR)